| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Encapsulado | ISOPLUS 247 |
| Status | NO RECOMENDADO PARA NUEVOS DISEÑOS |
| Tensión [V] | 800 |
| Amperios [A] | 28 |
| Familia de producto | HiPerFET |
- Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
- Low drain to tab capacitance(<25pF)
- Low RDS (on) HDMOSTM process Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Fast intrinsic Rectifie
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| País de origen | Filipinas |
| Reconocido CSA | SÍ |
| Conformidad RoHS | SÍ |
| Reconocido UL | SÍ |
| Partida arancelaria | 85412900 |
