| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Encapsulado | Módulo aislado 34mm |
| Status | DESCATALOGADO |
| Tensión [V] | 1200 |
| Topología | Half-bridge |
| Amperios [A] | 90 |
| Familia de producto | NPT IGBTS |
- Tecnología NPT IBGT
- Baja tensión de saturación
- Bajas pérdidas en conmutación
- Frecuencia de trabajo de hasta 30KHz
- square RBSOA, sin latch up
- Alta capacidad de cortocircuito
- Coeficiente de temperatura positivo para un fácil paralelado
- entrada MOS, controlada por tensión
- Diodo volante ultrarrápido
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| País de origen | Alemania |
| Conformidad RoHS | SÍ |
| Reconocido UL | SÍ |
| Partida arancelaria | 85412900 |
