| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Encapsulado | TO-263 AB |
| Status | ACTIVO |
| Tensión [V] | 1200 |
| Amperios [A] | 6 |
| Familia de producto | Polar HiPerFET |
- International Standard Packages
- Dynamic dv/dt Rating
- Avalanche Rated
- Fast Intrinsic Diode
- Low QG
- Low RDS(on)
- Low Drain-to-Tab Capacitance
- Low Package Inductance
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| País de origen | Corea del Sur |
| Reconocido CSA | NO |
| Conformidad RoHS | SÍ |
| Reconocido UL | UL 94V-0 |
| Partida arancelaria | 85412900 |
